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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Microscopie électronique en transmission AlGaN/GaN HEMT Atom probe tomography High electron mobility transistor Nitrides Nanowire Nitrures d'éléments III 3C–SiC Electrical properties and parameters Defects Silicon Boron nitride Transistor MBE Bullseye antennas 2D materials Quantum dots High electron mobility transistors Heterostructures Compressive stress GaN Free-standing GaN InGaN Aluminum nitride Gallium nitride GaN Doping Semiconductors Metasurfaces CVD CRYSTALS Holography Boîtes quantiques Nanostructures Quantum wells GaN-on-Si Silica Nanoparticles III-N Epitaxy Diffraction Coalescence Gallium nitride Semiconducteurs Optical properties Tunnel junction Graphene Molecular beam epitaxy DLTFS LED Al Cathodoluminescence Diodes électroluminescentes Nitrure de gallium Zinc oxide AlGaN Transmission electron microscopy MOCVD Excitons Caractérisation Atomic force microscopy Metalens Aluminum gallium nitride Molecular beam epitaxy MBE Strong coupling Épitaxie Schottky barrier diode HEMT AlGaN/GaN LEDs Photoluminescence Traps Bond order wave III-nitrides Bending Creep Characterization Selective area growth Croissance ZnO LPCVD Millimeter-wave power density Light emitting diodes Group III-nitrides GaN HEMT 6H-SiC Normally-off Contraintes Electron holography Spectroscopy Silicon carbide Dislocations Metasurface Silicium Épitaxie par jets moléculaires AlN Microcavity High electron mobility transistor HEMT III-nitride semiconductors Chemical vapor deposition Chemical vapor deposition processes